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形似黑洞 黑硅太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率竟可達(dá)22.1%

作者: | 發(fā)布日期: 2015 年 05 月 22 日 10:12 | 分類(lèi): 產(chǎn)業(yè)資訊

近日,芬蘭阿爾托大學(xué)(Aalto University)與西班牙加泰羅尼亞理工大學(xué)(Universitat Politecnica de Catalunya)的研究人員通過(guò)“黑硅”(Black Silicon)技術(shù),開(kāi)發(fā)出了轉(zhuǎn)換效率高達(dá)22.1%、單元面積為9cm2的太陽(yáng)能電池單元,由德國(guó)Fraunhofer ISE CalLab確認(rèn)。與額定轉(zhuǎn)換效率相同的普通太陽(yáng)能電池相比,黑硅太陽(yáng)能電池每天的發(fā)電量要高出3%。該技術(shù)目前屬于研發(fā)水平。
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此次,這兩所大學(xué)開(kāi)發(fā)的黑硅技術(shù)的要點(diǎn)是:(1)通過(guò)將表面加工成長(zhǎng)度為0.8μm左右的劍山形狀,大幅減少了反射;(2)背面電極型;(3)在單元正面和背面形成防復(fù)合膜(鈍化膜),減少電子與空穴的載流子復(fù)合。
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這種太陽(yáng)能電池采用了獨(dú)特的表面加工技術(shù),因此,在波長(zhǎng)為500~800nm的范圍內(nèi),電池表面的可見(jiàn)光反射率幾乎低于0.5%。阿爾托大學(xué)教授Hele Savin表示,基于黑硅技術(shù)的太陽(yáng)能電池非常適合在芬蘭等高緯度地區(qū)使用。雖然高緯度地區(qū)的太陽(yáng)高度較低,但采用獨(dú)特的表面加工技術(shù)之后,從低角度入射的光線(xiàn)也很難被反射,因此可以更加有效地利用太陽(yáng)光。
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阿爾托大學(xué)從2012年前后就開(kāi)始研發(fā)這項(xiàng)技術(shù)了。此外,夏普也有采用過(guò)與黑硅類(lèi)似的技術(shù),于2014年3月在3.6cm2的太陽(yáng)能電池單元“BLACKSOLAR”上實(shí)現(xiàn)了25.1%的轉(zhuǎn)換效率,并于2015年4月推出了采用BLACKSOLAR技術(shù)的太陽(yáng)能面板產(chǎn)品,轉(zhuǎn)換效率為19.1%。

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