意法半導體的MDmesh M2系列產(chǎn)品擁有最新、最先進的超接面技術(shù)MOSFET，具有比上一代產(chǎn)品更低的導通電阻（RDS(ON)），以及更低的閘極電荷（QGD）和輸入/輸出電容（Ciss/Coss），可滿足家電、低功耗照明以及太陽能微逆變器對電源能效的要求，同時提供更高的可靠性和最新且可滿足高功率密度的封裝選項。
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與市場現(xiàn)有的600V典型產(chǎn)品相比，意法半導體的新產(chǎn)品將崩潰電壓提高至650V，確保新產(chǎn)品具有更高的安全系數(shù)，讓設(shè)備廠商能夠設(shè)計更穩(wěn)固且更可靠的系統(tǒng)。此外，這些產(chǎn)品更進一步降低了能源消耗和熱散逸（heat dissipation），讓開發(fā)人員能更快設(shè)計出更高效的產(chǎn)品。
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新系列產(chǎn)品還增加了一款采用表面黏著封裝的PowerFLAT 5x6 HV高電壓產(chǎn)品，雖然封裝面積和厚度都很小，但卻擁有極佳的熱性能和電流處理能力，預計于2015年第一季投入量產(chǎn)。而PowerFLAT 5x6 HV封裝是太陽能微逆變器的理想選擇，為尺寸精巧的家用和商用逆變器組件帶來MDmesh M2產(chǎn)品的能效優(yōu)勢。
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22 MDmesh M2 650V MOSFET現(xiàn)已上市，最大額定電流范圍為4A至11A，最低導通電阻RDS(ON)降至0.360?。STD6N65M2采用D2PAK封裝。